日本金属学会2020年秋期(第167回)講演大会

Presentation information

一般講演

9.Electric/Electronic/Optical Materials » Electric/Electronic/Optical Materials

[G] Electric/Electronic/Optical Materials

Fri. Sep 18, 2020 1:00 PM - 4:55 PM Rm. E (ZoomRm.E)

Chair:Hidekazu Tanaka(Osaka University), Fumitaro Ishikawa(Ehime University) Sub Chairman (assistant):

2:50 PM - 3:05 PM

[7] Resistance-change mechanism in high resistive crystalline phase of Cr2Ge2Te6 phase-change film

*Shogo HATAYAMA1, Yuji SUTOU1 (1. Tohoku Univ.)

Keywords:相変化メモリ、アモルファス、Cr-Ge-Te、局所構造

逆抵抗変化型PCMであるCrGTは優れた特性を有するものの、結晶相の高抵抗化メカニズムは明らかになっていない。本研究では局所構造と化学結合状態の観点からその調査を行った。

Please log in with your participant account.
» Participant Log In