[G] Electric/Electronic/Optical Materials

[7] Resistance-change mechanism in high resistive crystalline phase of Cr₂Ge₂Te₆ phase-change film

*Shogo HATAYAMA¹, Yuji SUTOU¹ (1. Tohoku Univ.)

Keywords:相変化メモリ、アモルファス、Cr-Ge-Te、局所構造

逆抵抗変化型PCMであるCrGTは優れた特性を有するものの、結晶相の高抵抗化メカニズムは明らかになっていない。本研究では局所構造と化学結合状態の観点からその調査を行った。