[G] 電気・電子・光関連材料

[7] Cr₂Ge₂Te₆相変化薄膜の結晶高抵抗化メカニズム

*畑山 祥吾¹、須藤 祐司¹ (1. 東北大工)

キーワード：相変化メモリ、アモルファス、Cr-Ge-Te、局所構造

逆抵抗変化型PCMであるCrGTは優れた特性を有するものの、結晶相の高抵抗化メカニズムは明らかになっていない。本研究では局所構造と化学結合状態の観点からその調査を行った。