[G] Spintronic / Nanomagnetic Materials

[289] Fabrication of L1₀-FeNi films with high degree of order by denitriding method

*ITO Keita^1,2, HAYASHIDA Masahiro³, KOGANEZAWA Tomoyuki⁴, NISHIO Takahiro⁵, GOTO Sho⁵, KURA Hiroaki⁵, MIZUGUCHI Masaki^1,2, YANAGIHARA Hideto⁶, TAKANASHI Koki^1,2,7 (1. IMR, Tohoku Univ., 2. CSRN, Tohoku Univ., 3. Grad. Sch. Eng., Tohoku Univ., 4. JASRI, 5. DENSO CORPORATION, 6. Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba, 7. CSIS, Tohoku Univ.)

Keywords:L1₀-FeNi、脱窒素、希土類フリー超格子磁石

分子線エピタキシー法によりエピタキシャルFeNiN薄膜を作製し、H₂ガスまたはH₂プラズマ雰囲気中で脱窒素熱処理を行うことで、単結晶L1₀-FeNi薄膜の作製と高規則度および高一軸磁気異方性の実現を試みた。