[K4] Road to Smart Society ~State-of-the-art and prospectus of materials in smart device~

[K4.11] [Keynote Lecture] Resistance change phenomenon in metal oxide materials and application to neuromorphic devices

*SHIMA Hisashi¹, TAKAHASHI Makoto¹, NAITOH Yasuhisa¹, AKINAGA Hiroyuki¹ (1. AIST)

Keywords:金属酸化物、抵抗変化現象、ニューロモルフィック素子

本講演では、金属酸化物薄膜で見られる可逆的な抵抗変化現象を脳の情報処理を模倣した次世代コンピューティングの基盤技術として期待されるニューロモルフィック素子へ応用するための研究開発について紹介する。