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[S2.1] [基調講演] ワイドギャップ半導体SiCの単結晶成長と拡張欠陥の低減
キーワード:炭化ケイ素、単結晶成長、転位、積層欠陥、パワー半導体
パワーデバイス用材料として期待されているワイドギャップ半導体SiCの単結晶製造及びそのパワーデバイス応用の現状を概説するとともに、SiC単結晶中の拡張欠陥に関する最近のトピックスについて紹介する。
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