[S2] Materials Science and high temperature processing of widegap materials 2

[S2.6] Direct measurements of stacking fault energy in 4H-SiC by in-situ X-ray topography at high temperatures

FUJIE Fumihiro¹, *HARADA Shunta^1,2, UJIHARA Toru^1,2,3 (1. 名大工、2. 名大未来研、3. 産総研GaN-OIL)

Keywords:SiC、積層欠陥、パワーデバイス、X線トポグラフィー

X線トポグラフィーその場観察から、SiC結晶中の部分転位の曲率を測定することにより、ダブルショックレー型積層欠陥の積層欠陥エネルギーの定量評価を行った。