[G] Electric/Electronic/Optical Materials

[155] Influence of contact resistance on operation energy of Cr₂Ge₂Te₆-based memory device

*Shogo HATAYAMA¹, Yasunori ABE¹, Daisuke ANDO¹, Yuji SUTOU¹ (1. Tohoku Univ.)

Keywords:相変化材料、Cr-Ge-Te、コンタクト抵抗、相変化メモリ、アモルファス

様々な仕事関数を持つ電極材料とCr₂Ge₂Te₆間のコンタクト比抵抗を測定し、メモリデバイスの動作エネルギーに対する影響を調査した。