[G] Electric/Electronic/Optical Materials

[156] Effects of a non-stoichiometric composition on the electrical properties of Ge-Sb-Te phase change materials

*Yuta SAITO^1,2, Alexander KOLOBOV^1,3, Paul FONS^1,4, Kotaro MAKINO¹, Junji TOMINAGA¹, John ROBERTSON² (1. AIST, 2. Cambridge Univ., 3. Herzen Univ., 4. Keio Univ.)

Keywords:相変化材料、不揮発性メモリ、Ge-Sb-Te、電子状態、第一原理計算

Ge-Sb-Te相変化材料超格子における電気特性について、非化学量論組成の理論計算結果について報告する。