[P] P4~P12

[P11] 液滴溶融凝固プロセスを用いた融液からのInSb系希薄磁性半導体バルク単結晶創製

*羽切 颯汰¹、永山 勝久² (1. 芝浦工業大工(院生)、2. 芝浦工大工(指導教官))

キーワード：半導体材料、結晶成長、熱処理、希薄磁性半導体

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体InSbと結晶構造が近い単結晶Siウエハ（111）面上で液滴溶融凝固させ，InSb系希薄磁性半導体のバルク単結晶創製に対する有効性と最適熱処理条件について解析することを目的とした．