[P] P160~P171

[P165] Evaluation of potential barriers to dislocation glide in zinc sulfide crystals by DFT calculations

*Yusaku AKAGI¹, Sena Hoshino¹, Yu Oshima², Tatsuya Yokoi², Katsuyuki Matsunaga^2,3 (1. 名大工(院生)、2. 名大工、3. JFCC)

Keywords:化合物半導体、転位、第一原理計算、光塑性効果

DFT計算を用いてZnS結晶中のすべり転位に対する運動障壁を評価することを目的としている。周期境界モデルに対してNEB(Nudged Elastic Band)法を適用し、ZnSにおける完全らせん転位の運動障壁の算出を行った。