15:30 〜 17:00
[P187] 斜入射反応性スパッタリング法による酸化銅薄膜の作製
キーワード：斜入射堆積法、酸化銅、吸着誘起型エレクトロクロミック
吸着誘起型エレクトロクロミック(AiEC)現象はInNなどのn型縮退半導体で報告されている．p型半導体特性を示すことが報告されている酸化銅薄膜を作製し，AiEC現象が起こるか調査した．
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