1:00 PM - 1:40 PM
[S8.1] Detection and analysis of dislocations in wide bandgap semiconductor crystals
Keywords:4H-SiC、GaN、β-Ga2O3、転位、エッチング、大角度収束電子線回折、X線トポグラフィー、多光子励起顕微鏡
ワイドバンドギャップ結晶の転位検出・評価法である、エッチング、X線トポグラフィー、TEM解析法の一種である大角度集束電子線回折、電子線誘起電流法、多光子励起顕微鏡法の適用例と新展開について紹介する。
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