[S8] S8.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングIV

[S8.1] [基調講演]ワイドバンドギャップ半導体結晶の転位検出と解析

*石川 由加里¹、姚 永昭¹、菅原 義弘¹、佐藤 功二¹、横江 大作¹ (1. 一般財団法人ファインセラミックスセンター)

キーワード：4H-SiC、GaN、β-Ga₂O₃、転位、エッチング、大角度収束電子線回折、Ｘ線トポグラフィー、多光子励起顕微鏡

ワイドバンドギャップ結晶の転位検出・評価法である、エッチング、Ｘ線トポグラフィー、TＥＭ解析法の一種である大角度集束電子線回折、電子線誘起電流法、多光子励起顕微鏡法の適用例と新展開について紹介する。