[S8] S8.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングIV

[S8.6] SiC/C圧粉体へのSiの反応性含浸による高かさ密度SiC作製

*五十嵐 壮太¹、川西 咲子²、三谷 武志³、Didier Chaussende⁴、吉川 健⁵、柴田 浩幸² (1. 東北大工(院生)、2. 東北大多元研、3. 産業技術総合研究所、4. CNRS-SIMaP、5. 東大生研)

キーワード：反応性含浸、SiC溶液成長

SiCの単結晶育成法である溶液成長法では、溶液保持用にSiC材料が必要である。SiC材料の作製方法としてC/SiC混合圧粉体へのSiの反応性含浸を利用し、高かさ密度のSiCが生成する条件について調査を行った。