[G] 溶融・凝固プロセス 高温プロセス

[366] 一方向凝固でシリコンの粒界方向の発展のフェーズフィールドシミュレーション

*朱 伝奇¹、小泉 雄一郎²、郭 春文³ (1. 大阪大学　工学研究科、2. 大阪大学 マテリアル生産科学専攻、3. 鄭州大学　材料科学と工学専攻)

キーワード：Multi-crystalline silicon、Grain boundary direction、Grain groove、Phase-field simulation

The competition relationship between attachment kinetic coefficient and interface energy during the development of silicon grain boundary has been revealed using the phase-field method