[S3] S3.エネルギー関連材料の特性評価・解析・予測(II)

[S3.17] 偏光観察によるパワーデバイス SiC 基板中の貫通刃状転位の観察

原田 俊太¹、*村山 健太² (1. 名古屋大学、2. Mipox株式会社)

キーワード：偏光観察、SiC、パワーデバイス、転位

次世代パワーデバイス材料であるSiCでは、結晶中の転位がデバイスの性能や歩留りに影響を与えるため、非破壊検査手法が求められている。本研究では、偏光観察により結晶中の転位の同定が可能であることを解明した。