[S9] S9.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングV

[S9.2] ＳｉＣ溶液成長における炭素拡散場を介したマクロステップ相互作用の数値解析

*中西 祐貴¹、沓掛 健太朗^2,3、原田 俊太^1,3、田川 美穂^1,3、宇治原 徹^1,3 (1. 名大院工、2. 理研AIP、3. 名大未来研)

キーワード：SiC、溶液成長、マクロステップ、数値解析

ＳｉＣ溶液成長において、高品質結晶の育成には、結晶表面マクロステップの緻密な制御が重要である。本研究では、数値計算により、成長時のマクロステップの不安定性について炭素の拡散場に注目した解析を行った。