[S9] S9.Materials Science and high temperature processing of widegap materials V

[S9.3] Fabrication of dense SiC using phenol resin as C source

*Sakiko KAWANISHI¹, Takeshi MITANI², Didier CHAUSSENDE³, Takeshi YOSHIKAWA⁴, Hiroyuki SHIBATA⁵ (1. Tohoku Univ. (Currently Kyoto Univ.), 2. AIST, 3. CNRS-SIMaP, 4. Univ. Tokyo (Currently Osaka Univ.), 5. Tohoku Univ.)

Keywords:SiC、反応性含浸、フェノール樹脂、造粒

本研究ではSiC溶液法に用いるSiCライナーの開発に向け、フェノール樹脂を用いたSiC作製法を検討した。造粒により得た二次粒子を利用することで、SiC面積率が90%を超えるSiC多結晶体を作製することができた。