[S9] S9.Materials Science and high temperature processing of widegap materials V

[S9.7] Attempts to measure step energies on 4H-SiC(000-1) by in-situ interfacial observations

*Kaito Kinjo¹, Takeshi Yoshikawa², Kazuki Morita³ (1. Univ. Tokyo, 2. Osaka Univ., 3. Univ. Tokyo)

Keywords:SiC、溶液成長、界面観察、ステップエネルギー

4H-SiC溶液成長における溶媒と界面荒れの関係について検討するため、ステップ物性に着目した。溶液成長界面その場観察からステップ物性を決定する手法について報告する。