[S9] S9.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングV

[S9.7] 界面その場観察による合金中4H-SiC(000-1)上のステップエネルギー計測の試み

*金城 海音¹、吉川 健²、森田 一樹³ (1. 東京大工（院生）、2. 大阪大工、3. 東京大工)

キーワード：SiC、溶液成長、界面観察、ステップエネルギー

4H-SiC溶液成長における溶媒と界面荒れの関係について検討するため、ステップ物性に着目した。溶液成長界面その場観察からステップ物性を決定する手法について報告する。