[P] P1~P7

[P7] Structure and electrical properties of Ge thin films prepared by MIC method using AuSb

*Masaki KATO¹, Kentaro KYUNO^1,2 (1. Shibaura Institute of Tecnology, 2. SIT International Research Center for Green Electronics)

Keywords:半導体薄膜

本研究では、MIC法を用いてGeの結晶化を試みた。先行研究でAuSbを用いた場合でも結晶化されることが判明した。今回は結晶粒の増大を期待して成膜順を変更し触媒金属薄膜、Ge薄膜の順で成膜した。