日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

セッション情報

公募シンポジウム講演

[S7] S7.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングVI

ワイドギャップ結晶は、省エネ・環境負荷低減に寄与するパワーデバイスや短波長光デバイスへの応用・開発が進められている。特にSiCパワーデバイスは本格的量産が進み、GaNもLEDのみならずパワーデバイス用基板の生産が進められつつある。さらなる発展には各材料の高品質結晶の育成技術の確立や、高効率ウェハー化やデバイスプロセスの開発が望まれている。講演大会では、これまで5回の公募シンポジウムを開催し、で研究・開発の最新動向を議論してきた。
 本シンポジウムでも引き続き、SiCや窒化物材料、酸化物材料等ワイドギャップ結晶の育成技術や再加工技術、欠陥低減技術について、金属材料学や冶金学や半導体工学、またそれらの融合分野の最新の研究を議論する。

2024年9月20日(金) 13:00 〜 16:45 J会場 (全学教育推進機構講義A棟2階A204)

座長:安達 正芳(東北大学)、川西 咲子(京都大学)


※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
(質疑応答時間5分、基調講演と招待講演は5~10分)

休憩 (14:55 〜 15:10)

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