[P] P7~P25

[P17] 低エネルギーの電子ビーム照射によるアモルファスHfO₂薄膜の結晶化

*星島 颯太¹、仲村 龍介² (1. 滋賀県立大工（院生）、2. 滋賀県立大工)

キーワード：アモルファス、酸化ハフニウム（HfO₂）、電子ビーム照射、結晶化、透過型電子顕微鏡

透過電子顕微鏡を用いて，低エネルギーの電子ビーム照射によるアモルファスHfO₂の結晶化を試みた．電子エネルギー40 keVにおいて，電子フラックスが(1.0-2.5) × 10²³ m^-2 s^-1の範囲で結晶化した．