日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

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ポスターセッション

9.Electric/Electronic/Optical Materials » Electric/Electronic/Optical Materials

[P] P282~P289

Wed. Sep 18, 2024 4:00 PM - 5:30 PM Poster Session Room2 (Studio A at Science Commons)

4:00 PM - 5:30 PM

[P289] Electrical property of VN thin film and its possibility as phase-change material

*Wei-Chiao Chang1, Yi Shuang2, Daisuke ANDO3, Yuji SUTOU2,3 (1. Tohoku Univ. (Doctor), 2. Tohoku Univ. AIMR, 3. Tohoku Univ.)

Keywords:遷移金属窒化物、相変化メモリ、窒化バナジウム、バナジウム添加クロム窒化物

本研究では、遷移金属窒化物に対する相変化メモリの応用を考察する。バナジウムの窒化物とバナジウムを添加した窒化クロムに対して、結晶構造や電気特性を調査した上で、メモリ素子への可能性を評価する。

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