[P] P282~P289

[P289] Electrical property of VN thin film and its possibility as phase-change material

*Wei-Chiao Chang¹, Yi Shuang², Daisuke ANDO³, Yuji SUTOU^2,3 (1. Tohoku Univ. (Doctor), 2. Tohoku Univ. AIMR, 3. Tohoku Univ.)

Keywords:遷移金属窒化物、相変化メモリ、窒化バナジウム、バナジウム添加クロム窒化物

本研究では、遷移金属窒化物に対する相変化メモリの応用を考察する。バナジウムの窒化物とバナジウムを添加した窒化クロムに対して、結晶構造や電気特性を調査した上で、メモリ素子への可能性を評価する。