[P] P282~P289

[P289] バナジウム窒化物薄膜の電気特性とその相変化材料としての可能性

*張 惟喬¹、双 逸²、安藤 大輔³、須藤 祐司^2,3 (1. 東北大工（院生）、2. 東北大AIMR、3. 東北大工)

キーワード：遷移金属窒化物、相変化メモリ、窒化バナジウム、バナジウム添加クロム窒化物

本研究では、遷移金属窒化物に対する相変化メモリの応用を考察する。バナジウムの窒化物とバナジウムを添加した窒化クロムに対して、結晶構造や電気特性を調査した上で、メモリ素子への可能性を評価する。