日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

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ポスターセッション

2.Materials Physics » Materials Physics

[P] P290~292

Wed. Sep 18, 2024 4:00 PM - 5:30 PM Poster Session Room2 (Studio A at Science Commons)

4:00 PM - 5:30 PM

[P292] Investigation of the Phase Change Behavior of Vanadium-Tellurium Thin Film

*Shuhei Orihara1, Shuang Yi2, Daisuke Ando1, Yuji Sutou1,2 (1. Tohoku Univ. (Eng), 2. Tohoku Univ. (AIMR))

Keywords:薄膜、多形相変化材料、相変化メモリ、V-Te二元系合金

次世代PCRAMのメモリ材料として、結晶相間の多形変化を示すMnTeが期待されている。本研究では、MnTeと同様の遷移金属カルコゲナイドであるV-Te二元系薄膜に注目し、相変化挙動と電気光学特性変化について調査した。

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