[P] P290~292

[P292] Investigation of the Phase Change Behavior of Vanadium-Tellurium Thin Film

*Shuhei Orihara¹, Shuang Yi², Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1. Tohoku Univ. (Eng), 2. Tohoku Univ. (AIMR))

Keywords:薄膜、多形相変化材料、相変化メモリ、V-Te二元系合金

次世代PCRAMのメモリ材料として、結晶相間の多形変化を示すMnTeが期待されている。本研究では、MnTeと同様の遷移金属カルコゲナイドであるV-Te二元系薄膜に注目し、相変化挙動と電気光学特性変化について調査した。