[P] P26~P39

[P38] Influence of light illumination on dislocation behavior of gallium nitride and gallium phosphide single crystals

*Ryosuke Kinoshita¹, Yan Li², Hiroto Oguri¹, Eita Tochigi³, Atsutomo Nakamura² (1. Osaka Univ., 2. Osaka Univ., 3. UTokyo)

Keywords:ナノインデンテーション、化合物半導体、転位、光、TEM

光インデンテーション法を用いて，GaN，GaP単結晶の転位挙動に及ぼす光環境効果を評価した．外部光環境は転位の生成にはほとんど影響を与えないが，運動には大きく影響を及ぼすことが確認された．