[S8] New Materials Science on Nanoscale Structures and Functions of Crystal Defect Cores, V（2）

[S8.29] First-Principles Study on Hydrogen Behaviors in Si Grain Boundaries

*Ibuki Miyamoto¹, Shin Kiyohara², Soungmin Bae², Yu Kumagai² (1. School of Engineering, Tohoku University, 2. Institute for Materials Research, Tohoku University)

Keywords:第一原理計算、多結晶シリコン、結晶粒界

Hによる不働態化は、Si粒界でのキャリア再結合を防ぐ有効な手段である。しかし、粒界におけるHの挙動に関しては未解明な点が多い。そこで本研究では、第一原理計算によりSi粒界におけるHの挙動の理解を目指した。