日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

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一般講演

9.電気・磁気 関連材料 » 電気・電子・光関連材料

[G] 電子材料・テラヘルツ光

2024年9月19日(木) 13:00 〜 17:45 I会場 (全学教育推進機構講義A棟2階A214)

座長:田邉 匡生(芝浦工業大学)、内山 智貴（東北大）、畑山 祥吾(産業技術総合研究所)、齊藤 雄太(東北大学)

14:10 〜 14:25

[244] The impact of Mn doping on the resistance and structure change behavior of RuTe2

*李 世元1、双 逸2、安藤 大輔1、須藤 祐司1,2 (1. 東北大工、2. 東北大AIMR)

キーワード：phase change material、chalcogenides、PCRAM

The Mn-doped RuTe2 thin films were deposited by using radio frequency magnetron sputtering method. The films were annealed at different temperatures and their physical properties were measured.

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