2:25 PM - 2:40 PM
[245] Development of valence-change-type material for non-volatile memory application
Keywords:不揮発性メモリ、価数変化、ランタノイドテルライド
本研究では、構造変態を伴わずに原子価数変化のみで抵抗変化を示すSmTe薄膜の基礎物性と不揮発性メモリとしての応用可能性について発表を行う。
一般講演
9.Electric/Electronic/Optical Materials » Electric/Electronic/Optical Materials
Thu. Sep 19, 2024 1:00 PM - 5:45 PM Room I (A214 2nd floor Building A Center for Education in Liberal Arts and Sciences)
Chair:Yuta Saito
2:25 PM - 2:40 PM
Keywords:不揮発性メモリ、価数変化、ランタノイドテルライド