日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

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一般講演

9.Electric/Electronic/Optical Materials » Electric/Electronic/Optical Materials

[G] Electronic Materials/Terahertz Light

Thu. Sep 19, 2024 1:00 PM - 5:45 PM Room I (A214 2nd floor Building A Center for Education in Liberal Arts and Sciences)

Chair:Yuta Saito

3:35 PM - 3:50 PM

[249] Resistance change behavior during tensile test in amorphous CrTe3 film/Polyimide substrate

*Rikuto YOSHIDA1, Yinli Wang1, Yi Shuang2, Daisuke Ando1, Yuji Sutou1,2 (1. Graduate School of Engineering, Tohoku university, 2. Advanced Institute for Materials Research, Tohoku university)

Keywords:CrTe3、ピエゾ抵抗効果、ひずみゲージ、アモルファス薄膜

アモルファス相CrTe3薄膜/ポリイミド基板における応力印加に対する抵抗変化機構の解明を目的とし、スパッタリング法により成膜した膜厚200nmの同薄膜に対し引張試験とその場電気特性測定、表面観察を実施した。

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