[G] Biomaterials Development and Clinics（2）

[30] Property of Passive Film on Titanium as n-Type Semiconductor

*Takao HANAWA^1,2,3 (1. Tokyo Medical and Dental University, 2. Osaka University, 3. Kobe University)

Keywords:チタン、不働皮膜態、バンド構造、価電子帯、n型半導体

価電子帯領域スペクトルから、価電子帯の上限エネルギーEvとフェルミ準位エネルギーEFを決定した。バンドギャップエネルギーEgとの関係から、Ti上の不働態皮膜のn型半導体的性質を明らかにした。