日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

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[G] 分析・解析・評価

2024年9月20日(金) 13:00 〜 15:45 E会場 (全学教育推進機構講義B棟1階B108)

座長:波多 聰(九州大学)、佐藤 和久(大阪大学)

13:30 〜 13:45

[167] Fe/アモルファスSiOx薄膜における電子励起効果とFe2Si生成

*佐藤 和久1、藤井 悠太2 (1. 阪大電顕センター、2. 阪大院工(院生))

キーワード:電子励起、電子照射、界面固相反応、オージェ崩壊、Feシリサイド

真空蒸着法により作製したFe/アモルファス(a-)SiOx薄膜に75 keV電子照射を行うと、室温で三方晶Fe2Siが生成した。電子励起によるa-SiOxの解離に起因すると考えられる。固相反応メカニズムについて考察した。