13:00 〜 13:40
[S7.1] [基調講演] SiCパワー半導体ウェハ品質検査技術開発と国際標準化
キーワード：化合物パワー半導体、SiC、ウェハ品質検査技術、国際標準化
高品質なSiCウェハ製造とその安定供給体制の構築に向けたSiCパワー半導体ウェハ品質検査技術開発とその国際標準化に関する産総研での取り組みを紹介する.
要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン