13:00 〜 13:40 [S7.1] [基調講演] SiCパワー半導体ウェハ品質検査技術開発と国際標準化 *先﨑 純寿1 (1. 産総研) キーワード：化合物パワー半導体、SiC、ウェハ品質検査技術、国際標準化 高品質なSiCウェハ製造とその安定供給体制の構築に向けたSiCパワー半導体ウェハ品質検査技術開発とその国際標準化に関する産総研での取り組みを紹介する.
