[S7] S7.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングVI

[S7.4] Gibbs-Thomson溶媒を用いたSiC溶液成長のその場観察

*浅野 雄介¹、鈴木 賢紀²、中本 将嗣²、吉川 健² (1. 阪大工（院生）、2. 阪大工)

キーワード：SiC、溶液成長、Gibbs-Thomson効果、干渉縞観察、その場観察

Gibbs-Thomson効果を用いた高速液相エピタキシーで、1873KでSiCエピタキシャル層の成長を観察した。干渉縞観察により成長速度をリアルタイムで捉え、1～30minで0.8～1.0mm/minの一定速度を確認した。