[S7] S7.Materials Science and high temperature processing of widegap materials VI

[S7.4] In-situ observation of SiC solution growth using Gibbs-Thomson solvent

*Yuusuke Asano¹, Masanori Suzuki², Masashi Nakamoto², Takeshi Yoshikawa² (1. Osaka Univ., 2. Osaka Univ.)

Keywords:SiC、溶液成長、Gibbs-Thomson効果、干渉縞観察、その場観察

Gibbs-Thomson効果を用いた高速液相エピタキシーで、1873KでSiCエピタキシャル層の成長を観察した。干渉縞観察により成長速度をリアルタイムで捉え、1～30minで0.8～1.0mm/minの一定速度を確認した。