14:20 〜 14:40
[S7.4] Gibbs-Thomson溶媒を用いたSiC溶液成長のその場観察
キーワード:SiC、溶液成長、Gibbs-Thomson効果、干渉縞観察、その場観察
Gibbs-Thomson効果を用いた高速液相エピタキシーで、1873KでSiCエピタキシャル層の成長を観察した。干渉縞観察により成長速度をリアルタイムで捉え、1~30minで0.8~1.0mm/minの一定速度を確認した。
公募シンポジウム講演
2024年9月20日(金) 13:00 〜 16:45 J会場 (全学教育推進機構講義A棟2階A204)
座長:安達 正芳(東北大学)、川西 咲子(京都大学)
14:20 〜 14:40
キーワード:SiC、溶液成長、Gibbs-Thomson効果、干渉縞観察、その場観察