日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

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公募シンポジウム講演

[S7] S7.Materials Science and high temperature processing of widegap materials VI

ワイドギャップ結晶は、省エネ・環境負荷低減に寄与するパワーデバイスや短波長光デバイスへの応用・開発が進められている。特にSiCパワーデバイスは本格的量産が進み、GaNもLEDのみならずパワーデバイス用基板の生産が進められつつある。さらなる発展には各材料の高品質結晶の育成技術の確立や、高効率ウェハー化やデバイスプロセスの開発が望まれている。講演大会では、これまで5回の公募シンポジウムを開催し、で研究・開発の最新動向を議論してきた。
 本シンポジウムでも引き続き、SiCや窒化物材料、酸化物材料等ワイドギャップ結晶の育成技術や再加工技術、欠陥低減技術について、金属材料学や冶金学や半導体工学、またそれらの融合分野の最新の研究を議論する。

Fri. Sep 20, 2024 1:00 PM - 4:45 PM Room J (A204 2nd floor Building A Center for Education in Liberal Arts and Sciences)

Chair:Masayoshi Adachi

3:50 PM - 4:10 PM

[S7.7] Effect of Substrate Rotation on AlN Crystal Growth by Solution Growth Process Using Molten Fe-Cr-Ni Alloy

*Makoto OHTSUKA1, Masayoshi ADACHI1, Hiroyuki FUKUYAMA1 (1. IMRAM, Tohoku Univ.)

Keywords:窒化アルミニウム、溶液成長法、結晶成長、鉄-クロム-ニッケル合金、溶解度積

Fe-Ni-Cr合金の一例としてSUS304Lをフラックスとして用いた溶液成長法によりサファイア基板上にAlN膜を製膜したテンプレート基板上にAlN結晶を成長させ,その成長挙動に及ぼす基板回転の効果について報告する.

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