日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

講演情報

公募シンポジウム講演

[S7] S7.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングVI

ワイドギャップ結晶は、省エネ・環境負荷低減に寄与するパワーデバイスや短波長光デバイスへの応用・開発が進められている。特にSiCパワーデバイスは本格的量産が進み、GaNもLEDのみならずパワーデバイス用基板の生産が進められつつある。さらなる発展には各材料の高品質結晶の育成技術の確立や、高効率ウェハー化やデバイスプロセスの開発が望まれている。講演大会では、これまで5回の公募シンポジウムを開催し、で研究・開発の最新動向を議論してきた。
 本シンポジウムでも引き続き、SiCや窒化物材料、酸化物材料等ワイドギャップ結晶の育成技術や再加工技術、欠陥低減技術について、金属材料学や冶金学や半導体工学、またそれらの融合分野の最新の研究を議論する。

2024年9月20日(金) 13:00 〜 16:45 J会場 (全学教育推進機構講義A棟2階A204)

座長:安達 正芳(東北大学)、川西 咲子(京都大学)

16:30 〜 16:45

[S7.9] Cr-Ni溶媒を用いたAlNの溶液成長法の基礎的検討

*山本 皓貴1、中本 将嗣1、鈴木 賢紀1、川西 咲子2、亀井 一人1、吉川 健1 (1. 大阪大学、2. 京都大学)

キーワード:AlN、単結晶、結晶成長、Cr-Ni、溶解度

Cr-Ni合金を溶媒に用いたAlNの溶液成長は最大で300㎛/hでの成長が報告されている。本報では溶液成長における大口径結晶の育成技術を見据え、溶媒の熱力学的再検討と試験的な溶液成長を行った。

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