日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

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公募シンポジウム講演

[S7] S7.Materials Science and high temperature processing of widegap materials VI

ワイドギャップ結晶は、省エネ・環境負荷低減に寄与するパワーデバイスや短波長光デバイスへの応用・開発が進められている。特にSiCパワーデバイスは本格的量産が進み、GaNもLEDのみならずパワーデバイス用基板の生産が進められつつある。さらなる発展には各材料の高品質結晶の育成技術の確立や、高効率ウェハー化やデバイスプロセスの開発が望まれている。講演大会では、これまで5回の公募シンポジウムを開催し、で研究・開発の最新動向を議論してきた。
 本シンポジウムでも引き続き、SiCや窒化物材料、酸化物材料等ワイドギャップ結晶の育成技術や再加工技術、欠陥低減技術について、金属材料学や冶金学や半導体工学、またそれらの融合分野の最新の研究を議論する。

Fri. Sep 20, 2024 1:00 PM - 4:45 PM Room J (A204 2nd floor Building A Center for Education in Liberal Arts and Sciences)

Chair:Masayoshi Adachi

4:30 PM - 4:45 PM

[S7.9] Influencing factors on solution growth of AlN using Cr-Ni solvent

*Hiroki YAMAMOTO1, Masashi NAKAMOTO1, Masanori SUZUKI1, Sakiko KAKANISHI2, Kazuhito KAMEI1, Takeshi YOSHIKAWA1 (1. Osaka Univ., 2. Kyoto Univ.)

Keywords:AlN、単結晶、結晶成長、Cr-Ni、溶解度

Cr-Ni合金を溶媒に用いたAlNの溶液成長は最大で300㎛/hでの成長が報告されている。本報では溶液成長における大口径結晶の育成技術を見据え、溶媒の熱力学的再検討と試験的な溶液成長を行った。

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