日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

Presentation information

一般講演

6.Materials Processing » Melting and solidification process/High temperature process

[G] Melting and solidification process/High temperature process

Fri. Sep 20, 2024 12:30 PM - 5:15 PM Room Q (B307 3st floor Building B Center for Education in Liberal Arts and Sciences)

Chair:Yasuda Hideyuki, Hirofumi Miyahara, Masayuki OKUGAWA, Taka Narumi(Kyoto University)

4:30 PM - 4:45 PM

[424] Formation of SiC by liquid Si infiltration into carbon pores

*Kota HAYASHI1, Masanori SUZUKI1, Masashi NAKAMOTO1, Takeshi YOSHIKAWA1 (1. Osaka Univ.)

Keywords:SiC、SiC繊維強化SiCセラミックス、溶融Si含浸法、高温その場観察、SiC生成反応

溶融Si含浸法において、炭素間隙に含浸した溶融Siと炭素の反応によるSiCの生成挙動を調査した。高温その場観察により、生成したSiCの厚みおよび炭素上への被覆率の計測が可能となり、SiC生成メカニズムを評価した。