[P] P100~P104

[P102] Crystallization and electrical properties of Ge thin films with AuSb and Au by annealing

*yang chunxiang¹, kyuno kentaro^1,2 (1. Shibaura Institute of Technology, 2. SIT International Research Center for Green Electrouies)

Keywords:p型半導体特性、昇温時間、AuSb、半導体薄膜、結晶化

AuSbを触媒としてGe薄膜の結晶化を試みた、3nmのAuSb膜厚,190℃の低温でGe薄膜の結晶化に成功した。