[1F05-06] 水素・エネルギーキャリア・CCU 2

[1F06] 焼結体形成によるCuベースとしたカルコパイライト化合物光電極の作製

○豊留 拓弥¹、藤田 わかば²、池田 茂²、吉野 賢二³、天尾 豊⁴ (1. 大阪市立大学大学院理学研究科、2. 甲南大学化学科、3. 宮崎大学電子物理工学科、4. 大阪市立大学人工光合成研究センター)

太陽電池の光吸収層としてCuベースとしたI-Ⅲ-Ⅵカルコパイライト化合物が利用されている。この化合物は太陽光吸収に適したバンドギャップと大きな吸収係数を有し、比較的負側に伝導帯下端が位置するため水や二酸化炭素などの還元を行う光電極材料として注目されている。合成方法としてスプレー熱分解法やスパッタリング法などがあるが、いずれも製膜温度や組成制御に制限があるため、さらなる改善が求められている。そこで本研究では、固相法を用いてCuGaSe₂焼結体を調製し、組成比やコンタクト層が光電気化学特性に与える影響を検討した。