[1F09-10] 水素・エネルギーキャリア・CCU 4

[1F09] Ba添加ペロブスカイト型触媒におけるエタン脱水素反応の理論的検討

○七種 紘規¹、伊東 一陽¹、都甲 健太¹、村上 洸太¹、斎藤 晃⁴、小河 脩平³、常木 英昭¹、前田 駿²、橋本 国秀²、関根 泰¹ (1. 早稲田大学、2. クボタ、3. 高知大学、4. 分子研)

Ba添加ペロブスカイト上でのレドックス機構によるエタン脱水素反応機構を解明するため、DFT計算によりエネルギー障壁や表面格子酸素の電荷を得た。結果から、Ba添加により表面格子酸素が電子欠乏状態となりエタン解離吸着を促進すること、高水素被覆率時には表面格子酸素が電子リッチとなり水素脱離を促進することが解明された。したがって、表面格子酸素の電子状態を制御することが高いエタン水素脱離活性に重要であることが示された。