C11-C13

[C13] 高温エタン脱水素反応条件下でのin situ XANES測定によるGa導入ゼオライトの局所構造解析

○前野 禅¹、黄 梦雯²、安村 駿作³、鳥屋尾 隆²、松村 大樹⁴、齋藤 寛之⁵、清水 研一²、並木 則和¹ (1. 工学院大学、2. 北海道大学、3. 東京大学、4. 日本原子力研究開発機構、5. 量子科学技術研究開発機構)

キーワード：Ga-exchanged zeolites, ethane dehydrongenation, in situ XAS

エタン脱水素反応に高活性と高選択性を示すGa導入MFIゼオライトのin situ XANES測定を、反応温度条件下、測定雰囲気を加圧水素、不活性ガス、真空、あるいはエタンに変えながら検討した。いずれの雰囲気下においても、酸化ガリウムよりも同程度低エネルギー側に吸収端が観測された。一方で、XANES領域のピーク強度はガス雰囲気の水素源の有無に対応して可逆的に増減した。