[16p-B3-1~10] 17.1 成長技術

2013年9月16日(月) 16:00 〜 18:30 B3 (TC2 1F-105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

16:00 〜 16:15

[16p-B3-1] EB蒸着法により作製したPt触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT低温成長

^○近藤弘基¹，Ghosh Ranajit¹，成塚重弥¹，丸山隆浩¹，飯島澄男^1,2 (名城大理工¹，産総研²)

16:15 〜 16:30

^○吉田秀人，竹田精治 (阪大産研)

16:30 〜 16:45

^○川端章夫，村上智，二瓶瑞久，横山直樹 (産総研GNC)

16:45 〜 17:00

^○（PC）高嶋明人¹，泉雄大¹，池永英司¹，室隆桂之¹，川端章夫²，村上智²，二瓶瑞久²，横山直樹² (JASRI¹，産総研²)

17:00 〜 17:15

^○（D）伊藤和幸，澤部亮介，粟野祐二 (慶大院理工)

17:15 〜 17:30

^○梅田俊一¹，赤羽浩一²，外林秀之¹ (青山学院大¹，情報通信機構²)

17:30 〜 17:45

^○菅原丈博，大橋正明，金杉治，栗山直樹，串田正人 (千葉大院工)

17:45 〜 18:00

^○中村彰夫¹，佐藤仁³，中西太宇人³，加藤隆³，冨田恭一³，中野貴之¹，三村秀典²，井上翼¹ (静大院工¹，静大電研²，JNC³)

18:00 〜 18:15

^○臼田祐希¹，菊地貴裕¹，佐藤仁³，中西太宇人³，加藤隆³，冨田恭一³，三村秀典²，中野貴之¹，井上翼¹ (静大院工¹，静大電研²，JNC³)

18:15 〜 18:30

^○横井裕之¹，大坪一輝²，平山翔太² (熊本大院自然¹，熊本大工²)